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半导体电阻率随温度变化怎么样的

发布：党叔琴

半导体的电阻率在室温时位于金属与绝缘体之间，通常在1mΩ·cm到1GΩ·cm 温度温度对电阻率的影响取决于载流子浓度和迁移率随温度的变化。低温下，如果是纯半导体，则其电阻率随温度升高而单调下降(因为T升高，本征载流子浓度上升，电阻率下降). 如果是掺杂半导体，这个过程比较复杂，先下降，后上升，最后再下降.

半导体电阻率与温度的关系： 决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。在低温下：由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时电阻率随着温度的升高而下降。在室温下：由于施主或受主杂质已经完全电离，则载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低(晶格振动加剧，导致声子散射增强所致),所以电阻率将随着温度的升高而增大。为什么？主要区别是金属的电阻率随温度升高而增大。而半导体的电阻率在低温、室温和高温情况下，变化情况各不

如果是纯半导体，则其电阻率随温度升高而单调下降(因为T升高，本征载流子浓度上升，电阻率下降). sssss 1年前

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